可能的原因：
1、樣品組分吸附在色譜柱的前端
a、可能是由于樣品在流動(dòng)相中的溶解度低而沉淀出來(lái)的
b、樣品中有強(qiáng)保留物質(zhì)(與鍵合相極性相似的物質(zhì))
c、樣品或者流動(dòng)相中與填料表面發(fā)生微弱的不可預(yù)知的化學(xué)反應(yīng)
d、樣品溶劑本身的pH值在色譜柱的耐受臨界值附近，而且進(jìn)樣體積較大(內(nèi)徑4.6mm，上樣體積在 50μl 以上)
通常這樣的情況伴隨柱壓升高;或者柱壓正常，一個(gè)色譜圖中有些峰形異常，有些峰形正常。
解決方法：
a、 盡量從根源上解決問(wèn)題，選擇合適的樣品前處理技術(shù)，去除掉強(qiáng)保留物質(zhì)，獲得更加“干凈”更加成分單一的樣品;
b、 使用保護(hù)柱，保護(hù)柱的選擇盡量與分析柱同等填料，同等鍵合方法的保護(hù)柱，如果使用不同品牌填料、不同裝填工藝的保護(hù)柱，在分離能力和保護(hù)方面可能得不到好的效果，也不要使用更大粒徑的保護(hù)柱，更大粒徑或者裝填較差的保護(hù)柱會(huì)因?yàn)樗姆逭箤捵饔枚鴮?dǎo)致分離能力下降。
2、流動(dòng)相“臟”了
流動(dòng)相在色譜柱中的使用量比樣品要大得多，不停的沖刷色譜柱，如果流動(dòng)相變質(zhì)或者有其他的污染物，那對(duì)色譜柱的污染會(huì)比樣品更大，色譜柱對(duì)流動(dòng)相反而是一種凈化，而且在運(yùn)行梯度時(shí)，還會(huì)出現(xiàn)鬼峰。
解決方法：
a、 流動(dòng)相配置后盡快使用，最多不超過(guò)12小時(shí);
b、 有機(jī)相和鹽相混合的流動(dòng)相，更容易導(dǎo)致鹽的析出，盡量使用在線混合，且在運(yùn)行梯度時(shí)變化速率不宜太快，避免鹽析出;
c、 用專(zhuān)業(yè)的經(jīng)過(guò)鈍化處理過(guò)的溶劑瓶裝流動(dòng)相，切忌不能使用塑料瓶，做好密封，在更換流動(dòng)相的時(shí)候同時(shí)更換試劑瓶;
d、 水在接觸空氣或者離開(kāi)制水設(shè)備以后會(huì)出現(xiàn)變質(zhì)，現(xiàn)用現(xiàn)制，打開(kāi)后盡快使用。
原因二：固定相損壞
由色譜條件的多方面作用而導(dǎo)致的固定相損壞，是目前的色譜技術(shù)不能解決的一個(gè)問(wèn)題。一般情況下小基團(tuán)鍵合相更容易被水解而脫落，加快了鍵合相的脫落。硅膠裸露以后暴露在流動(dòng)相中，增加了鹽等對(duì)硅膠骨架的攻擊，導(dǎo)致骨架變薄，機(jī)械強(qiáng)度降低，表現(xiàn)為柱頭塌陷。
可能的原因：
a、流動(dòng)相中的鹽，尤其是磷酸類(lèi)的緩沖鹽，對(duì)硅膠的攻擊是較強(qiáng)的;
b、高柱溫，加快鹽運(yùn)動(dòng)的速率;
c、高氧，流動(dòng)相中未排除的氧，會(huì)加快硅膠內(nèi)部鍵的斷裂;
d、高pH(>8)，OH 根離子攻擊硅膠內(nèi)部的Si-O-Si 鍵，導(dǎo)致硅膠直接破碎;
e、低pH(<2)，H 根離子攻擊硅膠表面的Si-C鍵，鍵合相脫落以后，硅膠裸露出來(lái);
f、高水，也是引起鍵合相水解硅膠裸露的重要誘因。
解決方法：
a、使用鹽的時(shí)候，柱溫 ≤30℃;
b、鹽的濃度使用在 50mmol 以下;
c、使用在線脫氣機(jī)或者超聲脫氣(10分鐘，時(shí)間太久會(huì)發(fā)熱導(dǎo)致流動(dòng)相成分改變);
d、除了特殊標(biāo)注，色譜柱的使用pH值在 2-8 之間，如果樣品溶解的pH較苛刻，請(qǐng)使用保護(hù)柱來(lái)抵御pH所帶來(lái)的損傷，并及時(shí)更換;
e、不要把未標(biāo)注能耐受純水的色譜柱使用在水相大于 95%的流動(dòng)相條件下天然氣分析儀
